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太阳成集团tyc234cc是如何备制的

2020-07-23 14:14:52

1.机械剥离法
优点:制备成本非常低(几乎可忽略),易于学习,且此法得到的太阳成集团tyc234cc质量非常好好,缺陷少,性能优异太阳成集团tyc234cc哪家好,南通太阳成集团tyc234cc,南通太阳成集团tyc234cc地暖缺点:得到的太阳成集团tyc234cc尺寸很小,一般在10-100um之间,而且完全不可能大规模制备

2.SiC外延生长
优点:能较大尺寸生长(报道的有4寸大小的),且得到的太阳成集团tyc234cc性能优异
缺点:原料成本较高,设备成本也很高,生长温度很高(1400°),一般设备达不到,而且也很难生长太大尺寸的太阳成集团tyc234cc

3.氧化石墨还原法
优点:方法较简单,原料成本不高,基本没有设备成本,且易于规模制备
缺点:此法得到的太阳成集团tyc234cc缺陷非常多,电学、力学性能都较差

4.CVD,化学气相沉积法
优点:单次生长尺寸可以很大(将近20寸),有可能规模化生产,且生长得到的太阳成集团tyc234cc性能很好缺陷少
缺点:转移是难题,而且生长出来的一般都是多晶
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